中国存储芯片制造商长鑫存储正迅速抢占三星和SK海力士的市场占有率，成为全世界DRAM市场的竞争者。

  2.2020年，长鑫存储在全球DRAM内存市场中的市场占有率几乎为零，但到去年已增长到5%。

  3.由于长鑫存储的崛起，韩国芯片制造商三星和SK海力士正面临市场饱和和芯片价格下降的严重冲击。

  4.除此之外，长鑫存储还带头推动中国进军高带宽内存(HBM)市场，这是一种运行AI系统的关键组件。

  5.目前，长鑫存储正在上海以东建设一座28万平方米的晶圆厂，将具备生产HBM2产品的能力。

  作为中国领先的存储芯片生产商，长鑫存储(CXMT)正在从韩国同行手中快速夺取全球市场占有率，并且加入OpenAI的竞争对手深度求索(DeepSeek)的行列，为中国降低对外国技术依赖的行动提供助力。

  根据深圳咨询公司前瞻产业研究院的数据，在900亿美元的全球DRAM内存市场中，长鑫存储的市场占有率在2020年几乎为零，但到去年却已经增长到5%。分析师预测，其上涨的速度可能会像“滚雪球般”快速增长。

  长鑫存储还带头推动中国进军高带宽内存(HBM)市场。HBM是运行ChatGPT等AI系统的关键组件，而ChatGPT目前正面临来自其价格更具竞争力的中国对手DeepSeek的挑战。

  长鑫存储的崛起正在撼动韩国芯片制造商三星和SK海力士，以及美国竞争对手美光(Micron)在该领域的主导地位。这三家公司在2023年占据了96%的DRAM营收。

  野村证券亚太地区股票研究联席主管CW Chung表示：“随着长鑫存储的崛起，韩国芯片制造商正面临一个新的现实：低端市场已被中国产品占据。”

  “这不是技术优势的问题，而是数量问题。这在某种程度上预示着三星受到了市场饱和和芯片价格下降的严重冲击。”CW Chung补充道。

  2016年长鑫存储成立时，中国基本上没有自主生产DRAM芯片的能力。这种芯片大多数都用在服务器、计算机和移动设备。

  到2019年，在阿里巴巴和国家支持的“大基金”投资下，该公司开始批量生产当时最先进的DRAM内存产品DDR4芯片。

  据咨询公司SemiAnalysis的数据，长鑫存储去年开始批量生产DDR5内存。这种内存最初由SK海力士于2020年实现商业化，目前是DRAM内存中最先进的类别。

  据野村证券的一份报告，这家中国公司正在积极扩大DDR4的产量。其产能预计将从2022年的每月7万片晶圆增加到2024年底的每月20万片，这足以占据全球DRAM市场15%的份额。

  这导致旧款DRAM芯片的价格下降，侵蚀了三星和SK海力士的利润率，迫使这两家韩国公司从市场低端撤出。

  三星上个月表示，由于DRAM和NAND产品的增长有限，该公司正在减少对传统内存半导体的投资。该集团去年第四季度的盈利较第三季度下降了29%。SK海力士上个月也承认，中国DRAM产能扩张导致其第四季度盈利未达分析师预期。

  咨询公司TechInsights副主席G Dan Hutcheson表示，尽管长鑫存储的全球市场占有率仍比较小，且大多分布在在中国市场，但其在高度商品化的DRAM领域的快速进展正在产生“滚雪球效应”。

  Hutcheson说：“市场占有率越大，销量就越高，产量随之提升，成本随之降低，从而获得更加多市场占有率。这与韩国企业在20世纪80年代和90年代将日本企业挤出内存行业的方式如出一辙，如今他们正面临同样的处境。”

  分析人士指出，自2023年以来，长鑫存储利用美国出口管制中的漏洞，获得了先进的美国芯片制造设备，用来生产其最尖端芯片。此外，该公司也未被列入去年更新的商务部黑名单，得以继续与美国公司开展业务。

  兰德公司高级技术分析顾问吉米·古德里奇(Jimmy Goodrich)表示：“即便到现在，长鑫存储是否受到任何限制仍不完全明确。”

  一位熟悉长鑫存储计划的的人说，该公司正在上海以东建设一座28万平方米的晶圆厂，将具备生产“HBM2”产品的能力，这比SK海力士计划今年量产的HBM4芯片落后两代。

  预计长鑫存储HBM2产能的扩张将进一步压缩三星的市场空间，而三星目前仍在努力通过英伟达的严格测试，以获得HBM供应商资格。

  Hutcheson说：“三星正处于两面夹击的境地：高端市场被SK海力士和美光占据，低端市场则被长鑫存储侵蚀。”

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